Σύμφωνα με τη Samsung, η μνήμη Universal Flash Storage (eUFS) 3.0 512-gigabyte (GB) πιστοποιήθηκε για το αποτύπωμα άνθρακα και το αποτύπωμα νερού από τον αναγνωρισμένο οργανισμό Carbon Trust. Η 512GB eUFS 3.0 της Samsung είναι η πρώτη μνήμη smartphones στη βιομηχανία που αναγνωρίζεται από έναν διεθνή οργανισμό πιστοποιήσεων, το οποίο επιτεύχθηκε χάρη στη εντατική προσπάθεια της εταιρείας για τη μείωση των αποτυπωμάτων άνθρακα και νερού.
«Είμαστε ιδιαίτερα ικανοποιημένοι που οι καινοτόμες τεχνολογίες μνήμης μας αναδεικνύουν την ικανότητά μας να ξεπερνάμε πιο σύνθετες προκλήσεις σε επίπεδο διαδικασιών, και αναγνωρίζονται για την περιβαλλοντική βιωσιμότητά τους» δήλωσε ο Chanhoon Park, Executive Vice President και Head του Giheung Hwaseong Pyeongtaek Complex στη Samsung Electronics. «Η Samsung θα συνεχίσει να δημιουργεί λύσεις μνήμης που παρέχουν τα υψηλότερα επίπεδα ταχύτητας, χωρητικότητας και εξοικονόμησης ενέργειας σε ιδιαιτέρως μικρή κλίμακα μεγεθών για τους τελικούς χρήστες σε όλο τον κόσμο».
Βασισμένη στην μνήμη πέμπτης γενιάς (90+ επιπέδων) V-NAND, η 512GB eUFS 3.0 παρέχει βέλτιστη ταχύτητα, εξοικονόμηση ενέργειας και παραγωγικότητα προσφέροντας τη διπλάσια χωρητικότητα και κατά 2,1 φορές μεγαλύτερη διαδοχική ταχύτητα σε σύγκριση με την μνήμη τέταρτης γενιάς (64 επιπέδων) V-NAND-based 256GB eUFS 2,1. Ταυτόχρονα, απαιτεί μειωμένη λειτουργική τάση κατά 30 τοις εκατό. Επιπρόσθετα, η πέμπτης γενιάς V-NAND αξιοποιεί μια μοναδική τεχνολογία χάραξης μετάλλου που διαπερνά περισσότερα από 90 επίπεδα κελιών με ένα μόνο ακριβές βήμα.
Κάτι τέτοιο επιτρέπει στο chip να έχει σχεδόν 1,5 φορές περισσότερα στοιχισμένα επίπεδα από ότι η προηγούμενη γενιά, επιτυγχάνοντας μείωση του μεγέθους του κατά 25 τοις εκατό. Τέτοιου είδους καινοτομίες βοηθούν στην ελαχιστοποίηση της συνολικής αύξησης των αποτυπωμάτων του άνθρακα και του νερού για κάθε επίπεδο κελιού V-NAND.